| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Lê Thị Thanh Bình | - |
| dc.date.accessioned | 2020-06-24T14:54:57Z | - |
| dc.date.available | 2020-06-24T14:54:57Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.uri | http://192.168.1.231:8080/dulieusoDIGITAL_123456789/4574 | - |
| dc.description.abstract | Bằng phương pháp nghiên cứu phổ huỳnh quang kích thích, chúng tôi dã khảo sát các cơ chế hấp thụ của vật liệu GaN ở miền gần bờ hấp thụ. Các phép đo được thực hiện trong dải nhiệt độ từ 13K đến nhiệt độ phòng. Dải hấp thụ tại 357,83nm (3,46eV) được quy cho là hấp thụ exciton. Dải hấp thụ tại 372,64nm (3,328eV) tương tự các cơ chế hấp thụ tạo cặp donor-acceptor. Từ đường fit năng lượng đỉnh huỳnh quang kích thích theo nhiệt độ, các thôn số nhiệt Varshni đã được xác định | en_US |
| dc.publisher | Đại học Quốc gia Hà Nội | en_US |
| dc.title | Cơ chế hấp thụ của GaN:Zn | en_US |
| Appears in Collections: | Các chuyên ngành khác
|
